Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009...

Приложения
Приложение А. Контрольно-измерительные материалы и методики их внедрения для текущего контроля успеваемости и промежной аттестации по дисциплинам


А.1 Дисциплина «Физические базы микро- и нанотехнологий»

^ А.1.1 Контрольные вопросы к итоговой аттестации

Главные тенденции развития микро Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009...-и нанотехнологий сотворения устройств электрической техники.

Закон Мура. Главные предпосылки замедления темпов роста степени интеграции.

Квантовые ограничения для устройств традиционной электроники.

Одноэлектронный транзистор. Кулоновская блокада.

Резонансный туннельный транзистор.

Физические ограничения Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... малых размеров ИС.

Схемотехнические и технологические ограничения малых размеров ИС.

Базисные операции и главные принципы планарной технологии. Конфигурации набора базисных операций при переходе к наноразмерным устройствам.

Бездислокационный кремний. Геттерирование примесей. Внутреннее и наружное Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... геттерирование.

Тепловое окисление. Главные способы. Получение сверхтонких слоев.

Законы Дила и Гроува для теплового окисления. Ограничения законов для сверхтонких окислов.

Сегрегация примесей при тепловом окислении.

Диффузия как способ легирования в технологии субмикронных Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... СБИС.

Атомные и феноменологические модели диффузии.

Двойная диффузия. Ограничения способа диффузии.

Ионная имплантация примесей. Длина пробега ионов.

Рассредотачивание внедренных ионов по глубине. Модель Пирсона.

Анизотропия ионного легирования. Температурные режимы. Внедрения ионного легирования Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... в технологии субмикронных СБИС.

Образование и отжиг радиационных изъянов. Резвые отжиги наноразмерных слоев.

Автоэпитаксия кремния. Способы автоэпитаксии.

Молекулярно-лучевая эпитаксия в технологии наноразмерных структур электроники.

Главные требования к подложкам в процессах гетероэпитаксии.

Разработка Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... «кремний-на-изоляторе».

Эпитаксия соединений А3Б5. Мос-гидридная эпитаксия.

Предельная разрешающая способность разных способов литографии.

Оптическая литография в далеком УФ-диапазоне.

Рентгенолитография.

Электронно-лучевая литография. Эффект близости.

Электронно-проекционная Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... литография.

Ионная литография.

Способы сухого травления. Ионно-возбуждаемые и ионно-ускоряемые реакции.

Анизотропия и селективность способов сухого травления.

Плазменное, ионное, реактивно-ионное травление.

Главные требования к материалам для межсоединений. Многоуровневые системы Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... металлизации.

Сравнительная черта дюралевой и медной систем металлизации.

Адгезионно-барьерные подслои. Способы получения и роль в технологии субмикронных СБИС.

МОП-структуры ИС с малыми размерами частей. Принцип масштабирования.

КМОП-инвертор. Самосовмещение в технологии МОП Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009....

Трехмерные интегральные схемы.

МОП- структуры с двойным и вертикальным затвором. ВЧ-характеристики.

Эффект недлинного канала. Свойства транзисторов с субмикронными каналами.

МДП-транзисторы с диэлектриками с высочайшей диэлектрической проницаемостью.

Способы получения Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... и разделения углеродных нанотрубок.

Хиральность углеродных нанотрубок. Тип проводимости и гетеропереходы на нанотрубках.

Наноразмерные запоминающие устройства на нанотрубках. Гибридные технологии.

Одноэлектронный транзистор на нанотрубке.

Получение и свойства графеновых слоев. Однослойные и двухслойные Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... слои.

Зонная структура, электрический диапазон и проводимость графеновых слоев.

Многообещающие приборные структуры на графене.


^ А.1.2 Контрольные вопросы к промежной аттестации

ТЕСТ № 1 – разделы 1 – 3; (вариант 1)

Историческая справка, главные понятия и терминология

Какие главные физические открытия Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... положили начало микроэлектронике?

Как формулируется закон Мура? Сколько лет он производился?

Во сколько раз поменялся малый размер элемента за время существования микро-и наноэлектроники?

Как поменялось быстродействие интегральных схем за 20 лет?

Что явилось предпосылкой Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... роста быстродействия активных частей?


^ Эволюция полупроводниковой электроники. Одноэлектронные приборы.

Какие материалы перспективны для сотворения устройств СВЧ-диапазона?

В чем состоит эффект Кулоновской блокады?

При каких соответствующих размерах начинает проявляться Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... эффект Кулоновской блокады?

В чем состоит эффект резонансного туннелирования?


^ Физические и схемотехнические ограничения на уменьшение размеров активных частей и рост степени интеграции.

Перечислите главные технологические ограничения на уменьшение размеров ИС.

Каковы главные схемотехнические ограничения на Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... малый размер частей ИС?

Перечислите фундаментальные физические ограничения на уменьшение размеров частей ИС.

При каких параметрах транзистора нужно учесть туннелирование носителей?

При каких параметрах транзистора появляется эффекты жарких носителей?

Чем ограничено уменьшение Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... напряжения питания ИС?

Зачем в технологии СБИС употребляется диэлектрик с большой диэлектрической проницаемостью?


ТЕСТ № 1 – разделы 1 – 3; (вариант 2)

Историческая справка, главные понятия и терминология

Когда была сотворена 1-ая микросхема?

Когда начали проявляться отличия от Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... закона Мура?

На сколько порядков выросла степень интеграции микросхем за 1-ые 30 лет существования микроэлектроники?

В чем причина роста быстродействия ИС?

Назовите главные принципы планарной технологии.


Эволюция полупроводниковой электроники. Одноэлектронные Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... приборы.

Какие достоинства перед кремнием имеют материалы группы А3Б5?

При каких соответствующих температурах можно следить эффект Кулоновской блокады? От чего они зависят?

При каких соответствующих емкостях островков начинает проявляться эффект Кулоновской блокады?

Опишите Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... механизм работы резонансного одноэлектронного транзистора


Физические и схемотехнические ограничения на уменьшение размеров активных частей и рост степени интеграции.

Какая операция в технологическом маршруте ИС определяет вероятную степень интеграции?

Как быстродействие ИС Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... находится в зависимости от числа межсоединений в ИС?

Технологические либо фундаментальные физические ограничения в реальный момент ставят предел уменьшению размеров частей ИС?

К чему приводит туннелирование носителей через подзатворный диэлектрик?

К чему приводит инжекция Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... жарких носителей через подзатворный диэлектрик?

Что является предпосылкой появления подпорогового тока?

Во сколько раз можно прирастить толщину подзатворного диэлектрика при использовании материалов в высочайшей диэлектрической проницаемостью?


ТЕСТ 2 – разделы 4 – 7; (вариант 1)

Физико-химические Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... базы планарной технологии

Перечислите базисные операции планарной технологии.

2. Какие операции из набора базисных почаще повторяются в технологических маршрутах сотворения ИС?

3. Какие операции планарной технологии имеют самую большую цена в расчете на готовый кристалл? Почему?

4. Какие Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... из операций планарной технологии имеют самую большую энергоемкость?

5. Зачем нужна операция геттерирования?


Тепловое окисление кремния

Запишите главные хим реакции получения двуокиси кремния.

Для каких толщин окислов применим закон Дила-Гроува? Почему?

Каковы Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... нетермические механизмы роста сверхтонких слоев SiO2?

Каковой физический смысл линейной константы роста?

Какой физический смысл параболической константы роста?

Какие решения употребляются для контролируемого получения тонких слоев двуокиси кремния?

На что оказывает влияние сегрегация Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... примеси на границе раздела окисленной и неокисленной фазы?


Способы легирования

Какие малые размеры частей можно обеспечить способом диффузии?

В чем состоят главные атомные модели диффузии?

На чем основаны феноменологические модели диффузии? В чем Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... их ограничения?

Как технологически обеспечивается проведение диффузии из нескончаемого источника?

Как технологически обеспечивается проведение диффузии из ограниченного источника?

На чем основан расчет профиля легирования при двойной диффузии?

Перечислите главные Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... достоинства способа ионной имплантации при получении наноразмерных структур.

Какую из вероятных донорных примесей вы выберете для формирования маленького p-n перехода?

Какие способы отжига радиационных изъянов вы понимаете?

Какие дополнительные характеристики вводятся в модели Пирсона Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009...?


Авто-и гетероэпитаксия

Для решения каких схемотехнических задач в технологии употребляется процесс автоэпитаксии?

В чем разница процессов авто-эпитаксии и гетероэпитаксии?

Каким способом эпитаксии делают сверхрешетки?

Какие характеристики определяют качество Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... гетероэпитаксиальных слоев?

Каким способом можно сделать структуры «кремний-на-диэлектрике»?

Какие начальные реагенты употребляются в МОС-гидридной эпитаксии А3Б5?

ТЕСТ 2 – разделы 4 – 7; (вариант 2)

Физико-химические базы планарной технологии

Каковы главные достоинства группового способа?

Какие Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... операции из набора базисных могут употребляться лишь на исходных шагах формирования структур?

3. Какие операции планарной технологии определяют малый размер элемента? Почему?

4. Какие из операций планарной технологии имеют самую большую температуру?

5. В Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... чем отличия внутреннего и наружного геттерирования?


Тепловое окисление кремния

Какие окислители применяются при тепловом окислении кремния?

Запишите закон Дила-Гроува.

При каких температурах вырастают сверхтонкие (нм) слои SiO2?

На какую стадию окисления оказывает влияние Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... линейная константа роста?

На какую стадию окисления оказывает влияние параболическая константа роста?

Какие толщины двуокиси кремния употребляются для подзатворных диэлектриков?

К чему приведет тепловое окисление слабо-легированного бором слоя кремния? Почему?

Способы легирования

Какой малый Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... размер элемента можно получить способом диффузии при проектной норме 100 нм и глубине легирования 200 нм ?

По какому механизму диффузия идет резвее – вакансионному либо междоузельному? Почему?

Запишите главные уравнения законов Фика.

Для решения каких Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... задач употребляется диффузия из нескончаемого источника?

Для решения каких задач употребляется диффузия из ограниченного источника?

По какому закону распределена примесь при двойной диффузии?

При каких температурах можно проводить ионную Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... имплантацию для получения наноразмерных структур?

Какой способ легирования следует избрать для формирования маленького p-n перехода? Поясните, почему.

При какой дозе легирующей примеси фосфора - 1014 см-2 либо 1017 см-2 легче отжечь радиационные недостатки?

Какие Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... вы понимаете способы резвого отжига?


Авто-и гетероэпитаксия

Зачем применяется планарно-эпитаксиальная разработка?

При каких соотношениях неизменных решетки пленки и подложки вероятен процесс гетероэпитаксии?

При каких температурах проводят процесс молекулярно-лучевой эпитаксии?

Какой из способов гетероэпитаксии Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... дает слой с наименьшим числом изъянов?

Какую ориентацию кремниевой подложки употребляют для роста автоэпитаксиальных слоев?

Напишите главные хим реакции для МОС-гидридной эпитаксии А3Б5.


ТЕСТ 3 – разделы 8, 10, 11;12 (вариант 1)

Субмикронная Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... литография и сухое травление

Какие источники излучения используются для субмикронной литографии?

Чем ограничен предельный размер элемента в способе теневой засветки?

Чем ограничен предельный размер элемента в способе проекционной литографии?

Какие материалы могут применяться в фотошаблонах Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... в далеком УФ-диапазоне?

Какие источники используются в рентгенолитографии?

В чем основное отличие требований к шаблонам для рентгено- и фотолитографии?

На каком принципе основаны фазосдвигающие шаблоны?

Какие эффекты ограничивают предельную разрешающую способность способа Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... электронно-лучевой литографии?

Какой из способов травления – плазмохимическое, ионное либо реактивно-ионное позволяет получить самую большую анизотропию травления?


Процессы металлизации интегральных схем


Каковы требования к материалам для сотворения межсоединений?

Чем обеспечивается Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... отменная адгезия алюминия к кремнию?

В чем трудности использования меди как материала для межсоединений?

Какие материалы употребляются для сотворения адгезионно-барьерных подслоев?

Какие материалы употребляется для нижних слоев металлизации в многоуровневых системах Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009...?


Способы реализации СБИС на базе МДП-структур

Какие характеристики нужно знать для расчета порогового напряжения МДП-транзистора?

Какой технологический маршрут имеет большее число операций – биполярной либо МОП СБИС?

В чем состоит способ Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... самосовмещения при получении МОП транзистора?

Главные достоинства КМОП-инвертора перед схемами на транзисторах 1-го типа проводимости.

Какую элементную базу следует избрать для трехмерной интеграции? Почему?

В чем состоит эффект недлинного канала?

Почему в Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... транзисторах с маленьким каналом растет подпороговый ток?

Зачем в транзисторах употребляется структуры с двойным затвором?

В чем основное преимущество схем, сделанных по технологии «кремний-на-изоляторе»?

В чем состоит эффект защелкивания в Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... КМОП-инверторе?


Углеродные наноструктуры в электронике

Какими способами получают углеродные нанотрубки?

Как рассчитывается хиральность углеродных нанотрубок?

Какой тип проводимости будет иметь нанотрубка и хиральность. (10, 10)?

Как зависит проводимость углеродных нанотрубок от их длины?

Каковы Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... способы легирования нанотрубок?

Каким способом можно сделать p-n переход на нанотрубках?


Перспективы графеновой электроники

Теоретические предпосылки высочайшей проводимости графенового слоя.

Способы получения графеновых слоев.

Способы стабилизации графеновых слоев.

Нарисуйте зонную диаграмму графенового слоя Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009....

Какие графеновые структуры могут служить основой нанотранзистора?


ТЕСТ 3 – разделы 8, 10, 11; 12 (вариант 2)

Субмикронная литография и сухое травление

Какие источники излучения для субмикронной литографии имеют наименьшую длину волны??

Чем ограничен предельный размер элемента в способе проекционной фотолитографии Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009...?

Чем ограничен предельный размер элемента в способе ионной литографии?

Может ли применяться кварц как материал для фотошаблона в далеком УФ-диапазоне?

Зачем употребляется синхротронное рентгеновское излучение в рентгенолитографии7

Почему шаблон для рентгенолитографии Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... имеет участки с мембранами?

Зачем употребляются фазосдвигающие шаблоны?

Какие эффекты ограничивают предельную разрешающую способность способа проекционной электрической литографии?

Какой из способов травления – плазмохимическое, ионное либо реактивно-ионное позволяет получить самую большую Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... селективность травления?


Процессы металлизации интегральных схем

Какие материалы имеют меньшее удельное сопротивление? Употребляются ли они для сотворения межсоединений?

Чем обеспечивается не плохая адгезия алюминия к двуокиси кремния?

Почему для медных межсоединений нужно внедрение Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... адгезионно-барьерных подслоев?

В чем достоинства использования силицида титана как материала для межсоединений?

Какие материалы употребляется для верхних слоев металлизации в многоуровневых системах?


Способы реализации СБИС на базе МДП-структур

Высчитайте пороговое напряжения МДП Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009...-транзистора с поликремниевым затвором и наименьшим числом поверхностных состояний.

Какой технологический маршрут имеет наименьшее число операций – биполярной либо МОП СБИС?

Какой параметр транзистора улучшается при использовании способа самосовмещения МОП Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... транзистора?

Почему КМОП-инвертор имеет огромную помехоустойчивость?

Какие требования выдвигаются к элементной базе для трехмерной интеграции? Почему?

Для чего в короткоканальных МОП-структурах нужно увеличивать уровень легирования подложки?

Почему в транзисторах с маленьким каналом миниатюризируется Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... пороговое напряжение?

Зачем в транзисторах употребляется структуры с вертикальным затвором?

В чем главные технологические задачи схем, сделанных по технологии «кремний-на-изоляторе»?

Какие способы борьбы с эффектом защелкивания в Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... КМОП-инверторе?


Углеродные наноструктуры в электронике

Какими способами делят углеродные нанотрубки?

От чего зависит тип проводимости углеродных нанотрубок?

Какой тип проводимости будет иметь нанотрубка с хиральностью (0, 5)?

Как зависит сопротивление углеродных нанотрубок от их длины Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009...?

К чему приведет фторирование углеродных нанотрубок?

Каким способом можно сделать гетеропереход на нанотрубках?


Перспективы графеновой электроники

Теоретические предпосылки высочайшей прочности графенового слоя.

Способы получения графеновых слоев.

Способы стабилизации двойных графеновых слоев.

Нарисуйте Приложения - Нормативный срок освоения программы 2 года фгос впо утвержден приказом Минобрнауки России от 12. 2009... энергетическую диаграмму и закон дисперсии графенового слоя.

Какие графеновые структуры могут служить основой запоминающих устройств?


А.2 Дисциплина «Физика нанокомпозитных материалов»


prilozheniya-itogovij-otchet-po-nauchno-issledovatelskoj-rabote.html
prilozheniya-k-chikagskoj-konvencii.html
prilozheniya-k-oop-magistra-osnovnaya-obrazovatelnaya-programma-visshego-professionalnogo-obrazovaniya-napravlenie-podgotovki.html